| 型号： | IPS105N03L G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IPS105N03L G PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 19/Mar/2010 |
| 产品目录绘图 | Mosfets TO-251(-3), I-PAK |
| 标准包装 | 1,500 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1500pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 38W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装 | PG-TO251-3 |
| 包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1618 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | IPS105N03LGIN IPS105N03LGXK SP000264172 SP000788218 |